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Evaluation of Transmission Line Model Structures for Silicide-to-Silicon Specific Contact Resistance Extraction

机译:硅化物-硅特定接触电阻提取的传输线模型结构的评估

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摘要

In order to measure silicide-to-silicon specific contact resistance �?c, transmission line model (TLM) structures were proposed as attractive candidates for embedding in CMOS processes. We optimized TLM structures for nickel silicide and platinum silicide and evaluated them for various doping levels of n- and p-type Si. The measurement limitations and accuracy of the specific contact resistance extraction from the optimized TLM structures are discussed in this paper.
机译:为了测量硅化物与硅的特定接触电阻?c,提出了传输线模型(TLM)结构作为嵌入CMOS工艺的诱人候选物。我们针对硅化镍和硅化铂优化了TLM结构,并针对n型和p型硅的各种掺杂水平对其进行了评估。本文讨论了从优化的TLM结构中提取特定接触电阻的测量限制和精度。

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